【201911101854.8】铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜及其制备方法-武清知识产权运营保护服务平台

【201911101854.8】铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜及其制备方法

        转让/许可方名称：天津理工大学
        转让/许可底价（万元）：面议
        挂牌截止时间：2025年1月10日

本发明涉及一种铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜及其制备方法，利用单温区CVD系统，将草酸铈和WO2.9置于石英舟内且掺入氯化钠形成混合物，置于加热炉膛一侧边缘，将放有硫粉的石英舟置于加热炉膛外侧；关闭石英管并抽真空，载气为高纯氩气；温区将温度上升到1050~1200摄氏度并保温，在此期间不断地移动加热炉膛；以每分钟50摄氏度的降温速率退火且降至1040摄氏度并保温5~10分钟；然后自然降温，得到铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜。通过对实验过程相关的各类参数的控制，制备出晶体质量好、均匀的铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜。