【202010079041.X】一种原位电学TEM样品的制备方法-武清知识产权运营保护服务平台

【202010079041.X】一种原位电学TEM样品的制备方法

        转让/许可方名称：天津理工大学
        转让/许可底价（万元）：面议
        挂牌截止时间：2025年1月10日

本发明公开了一种原位电学TEM样品的制备方法。先用磁控溅射法连接电极材料和固态电解质，然后将电极/电解质材料置于聚焦离子束‑电子束双束电子显微镜内，表面沉积保护层，刻蚀切断并提取出TEM薄片。将原位加热芯片循环电极打断，改装为双电极加电芯片，并与TEM薄片连接，双向剪薄至200nm左右后去除非晶层至100nm以下，得到原位电学TEM样品。本发明提供了一种原位电学TEM样品的制备方法，将扫描电子显微学与原位透射电子显微学结合，实现在工况条件、微观尺度上动态观察电极/电解质界面或电极内部界面的电荷分布。制备工艺简单、普适性高。