【201210440132.7】基于氧化钒/氧化锌叠层结构的阻变存储器及其制备方法-武清知识产权运营保护服务平台

【201210440132.7】基于氧化钒/氧化锌叠层结构的阻变存储器及其制备方法

        转让/许可方名称：天津理工大学
        转让/许可底价（万元）：面议
        挂牌截止时间：2025年1月10日

一种基于氧化钒/氧化锌叠层结构的阻变存储器，由下电极、阻变层和上电极构成，阻变层为由氧化钒介质层和氧化锌介质层组成的叠层结构，氧化钒介质层和氧化锌介质层薄膜采用直流溅射或射频溅射法制备。本发明的优点是：该阻变存储器采用氧化钒/氧化锌叠层结构，具有氧化锌双极性和单极性极性可控的优势，提高了器件的一致性和重复性；与单层氧化钒相比，reset电流降到了10mA以下；在双极性测试过程中，具有一个渐进的reset过程，可以通过不同振幅的reset电压而得到不同的高阻态的电阻，至少可以获得三个电阻值，并且每个电阻值之间有10倍以上的阻值比，因而可以将其应用于多值存储。