【202110004809.1】一种电解质突触晶体管及其制备方法和应用-武清知识产权运营保护服务平台

【202110004809.1】一种电解质突触晶体管及其制备方法和应用

        转让/许可方名称：天津理工大学
        转让/许可底价（万元）：面议
        挂牌截止时间：2025年1月10日

本发明公开了一种电解质突触晶体管及其制备方法和应用，包括导电沟道和位于所述导电沟道上的石墨炔层，所述石墨炔层上覆盖有电解质。本发明在沟道和电解质之间设置石墨炔层作为浮栅存储层，电解质作为栅极，可阻隔固电解质中的离子与导电沟道接触，避免了离子在沟道中频繁插入/脱离，从而对沟道的晶格结构进行有效保护，使器件具有很好的循环稳定性。同时，本发明的电解质突触晶体管具有非易失性特性，成功模拟了各种具有代表性的突触特性，且在弯曲测试中表现出优异的稳定性和可靠性。