【202011092523.5】一种新型大晶粒ACZTS吸收层的制备方法-武清知识产权运营保护服务平台

【202011092523.5】一种新型大晶粒ACZTS吸收层的制备方法

        转让/许可方名称：天津理工大学
        转让/许可底价（万元）：采用一次总付的方式，在合同生效后 30 日内一次性全额支付所有使用费 20000 元。
        挂牌截止时间：2025年1月10日

本发明涉及一种制备大晶粒ACZTS吸收层的方法，属于薄膜太阳电池技术领域，对镀双层结构Mo背电极的钠钙玻璃衬底进行清洗；用电解质溶液在双层结构的Mo背电极上沉积Ag层并进行超声处理；以(CH3COO)2Cu·H2O、ZnCl2、SnCl2·2H2O、CH4N2S为溶质，以二甲基甲酰胺为溶剂，配置沉积Ag层所需的前驱体溶液；前驱体溶液通过旋涂法在Ag层上制备前驱体薄膜；在N2气氛下，将前驱体薄膜放置在退火炉中进行退火处理，制备大晶粒(Agx,Cu1‑x)2ZnSnS4吸收层。Ag的掺入有利于减少光生载流子的复合几率；改善CZTS薄膜的致密程度和结晶程度，提高了CZTS吸收层在Mo上的附着能力，减少了CZTS吸收层底部的细碎晶粒，减少了界面处晶界的复合程度。

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