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【201410078446.6】一种双向限流器件及其制备方法

        转让/许可方名称：天津理工大学
        转让/许可底价（万元）：面议
        挂牌截止时间：2025年1月10日

一种双向限流器件，由下电极、介质层和上电极组成并构成叠层结构，其中介质层为氧化钒薄膜和氧化铜薄膜叠层结构；其制备方法是，首先以硅片为衬底制备二氧化硅绝缘层，再利用离子束溅射的方法制备Ti粘附层；在Ti粘附层上采用磁控溅射工艺或蒸发工艺制备下电极；在下电极上采用磁控溅射或热氧化的方法制备氧化铜薄膜；在氧化铜薄膜上采用直流溅射或射频溅射法沉积氧化钒薄膜；在氧化钒薄膜上采用磁控溅射工艺或电子束蒸发工艺制备上电极。本发明的优点是：该双向限流器件介质层为氧化钒/氧化铜叠层结构，具有双向限流特性，该器件可应用在阻变存储器领域，通过与阻变存储器件串联，可以作为单极性的选择器件或双极性的限流器件。