【201811336647.6】一种溶液法制备p-i-n结构的低压驱动有机发光二极管的方法-武清知识产权运营保护服务平台

【201811336647.6】一种溶液法制备p-i-n结构的低压驱动有机发光二极管的方法

        转让/许可方名称：天津大学滨海工业研究院有限公司
        转让/许可底价（万元）：面议
        挂牌截止时间：2024年6月14日

一种溶液法制备p‑i‑n结构的低压驱动有机发光二极管(OLED)的方法，该OLED器件由带有透明ITO玻璃衬底、p型掺杂传输层、发光层、n型掺杂传输层、电子缓冲层和金属背电极叠加组成。本发明通过将复合材料PTAA:AgNWs引入到OLED器件中，能够有效提高空穴传输层的传输性能，并降低空穴注入势垒，从而降低了器件的驱动电压；通过溶液法制备出PEI:SnS2‑QDs作为OLED器件的电子传输层，进一步改善了器件中电子的注入和传输能力。最终在降低器件驱动电压的同时，有效地提高了OLED器件的发光效率。