【201710819021.X】一种非金属基光电阴极的制备方法 |
转让/许可方名称:天津理工大学
转让/许可底价(万元):面议
挂牌截止时间:2025年1月10日
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本发明公开了一种非金属基光电阴极的制备方法。本发明通过溶液化学法的制备石墨炔;将尿素置于马弗炉中,550℃煅烧4h,制备块材g‑C3N4,再将块材g‑C3N4分散在N‑甲基吡咯烷酮溶剂中超声20h,得到g‑C3N4纳米片分散液;采用溶剂热法将二者复合,即得到g‑C3N4/GDY光电阴极。本发明克服了一般空穴传输材料使用含金属的氧化物且与g‑C3N4复合来构建非金属基光电阴极。光照下,本发明所得g‑C3N4/GDY光电阴极在‑0.1V(vs NHE)得到了较高的光电流响应值,是单独g‑C3N4和单独GDY的3倍之高。本发明光阴极有很好的光电催化活性和稳定性且制备方法简单。